エレクトロニクス界の飛躍的な発展に伴い、電気接点に関しても、益々高信頼性と高度な技術特性を要求されてきています。 当社は電気接点の一貫メーカーとして、高信頼性、高性能接点材料の研究開発に努めると共に、高度な加工技術を培い、幅広いニーズにお応えできる接点材料を準備しております。

Ag-金属酸化物接点材料

Ag-SnO2-In2O3-α系接点材料で、Ag-CdOに比べ優れた耐アーク消耗性を示し、高電流負荷領域での優れた耐溶着性を持つCdフリーの材料です。 前酸化材料は塑性加工性がある材料で、リベット、クラッドテープへの加工性を有し、また、軽度のワイヤーかしめ加工性を有します。

SEC-2S組織写真（X400)

SECシリーズと同じCdフリー材で、In/Sn比を高くしたものです。特にSECシリーズに比べ低接触抵抗特性と塑性加工性に優れた材料です。

MEC-2組織写真（X200)

当社独自の内部酸化法により、微細なZnO粒子をAgベースに分散させた高導電率のAg-ZnO-α系材料です。Inを含まない為、SEC、MECシリーズに比べて安価です。また、低電流域のスイッチに最適です。

SEZ-2組織写真（X400）

TECシリーズは、粉末冶金法により微細なSn酸化物粒子をAg基質中に分散させた接点材料です。SnO2粒子とAg基質との結合力を高める為の微細添加剤を配合したものもあり、欧米でCdフリー材として中負荷以上の広範囲の用途に採用されております。 本材料は、SnO2に比較して熱的に不安定なIn酸化物を含まないので、優れた耐アーク性、耐溶着性を有します。内部酸化材に比しコスト的に有利な材料です。

TEC-2組織写真（X400)

粉末冶金接点材料

Ag-Ni材料は、粉末冶金法で製造した接点材料で安定した接触抵抗特性を示し、特にサーモスタットなどの接点に優れております。 当社では従来材に比べ、さらに高純度で微細な粉末粒子を使用して独自の粉末冶金製造法により、均一分散性の優れた材料とし、性能のアップを図りました。

N-0組織写真（X500)

銀マトリックス中に超微細なグラファイト粒子を均一分散させた材料です。特にAgや硬銀に比し導電率を下げずに耐溶着性能を向上出来、低接点荷重で低接触抵抗を必要とする用途に最適です。

G-1組織写真（X500)